蓝鲸TMT频道12月13日音讯,据国外新闻媒体报道,三星电子将对其我国西安芯片工厂添加80亿美元的出资,以促进NAND闪存芯片的出产。
这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段出资,此前108亿美元为一期出资。二期项目总出资150亿美元,第一阶段出资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。
早在2017年三星曾宣告,未来三年将向出产NAND闪存芯片的西安工厂出资70亿美元。在此之前,三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂出资了108亿美元。
据悉,二期项目估计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产量300亿元。
业内人士剖析,三星此次出资正值全球内存商场估计于下一年反弹之际。因为我国5G网络布局提速,对5G设备和网络需求的不断上升,下一年全球内存芯片商场将呈现反弹,因此加大我国芯片厂商的出资也是明智之举。